1. KST5089MTF
  2. KST5089MTF

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

KST5089MTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-KST5089MTF

#1

数量:16128
1+¥0.207
最小起订金额:¥3000
马来西亚吉隆坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

KST5089MTF产品详细规格

文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 400 @ 100µA, 5V
功率 - 最大 350mW
频率转换 50MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.05
最小直流电流增益 400@100uA@5V|450@1mA@5V|400@10mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最大基地发射极电压 4.5
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 25
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 350
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 1mA, 10mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 400 @ 100µA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 0.05 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 25 V
发射极 - 基极电压 4.5 V
频率 50 MHz
功率耗散 0.35 W
安装 Surface Mount
包装类型 SOT-23
元件数 1
直流电流增益 400
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN

KST5089MTF系列产品

KST5089MTF也可以通过以下分类找到

KST5089MTF相关搜索

订购KST5089MTF.产品描述:Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial. 生产商: Fairchild Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149488
    010-82149921
    010-56429953
    010-82149008
    010-57196138
    010-82149466
    010-62165661
    010-62153988
    010-62178861
    010-62155488
    15810325240
    010-82149028
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-83247615
    0755-82511472
    0755-83997440
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-67683728
    0512-67684200
    0512-67483580
    0512-68796728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com